GaAs、InP基功能楔型结构的材料工艺研究及其在新型光电子-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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GaAs、InP基功能楔型结构的材料工艺研究及其在新型光电子

项目名称：GaAs、InP基功能楔型结构的材料工艺研究及其在新型光电子
项目类别：重大研究计划
批准号：90601002
申请代码：E020701
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2007-01-01-2007-12-31

项目负责人：任晓敏
负责人职称：教授
依托单位：北京邮电大学
批准年度：2006

中文摘要：

在圆满、超额、超指标完成了"GaAs、InP基功能楔型结构的材料工艺研究及其在新型光电子器件中的应用"课题任务后，针对其中关键结构材料和工艺的进一步创新开展后续研究，包括将楔型微结构拓展至弧型微结构；将楔型结构与InGaNAs新材料或InP 空气隙微结构有机结合制备新型光探测器；探索大面积的低温晶片键合工艺。带动集成光电子学的发展。

中文主题词：楔型结构；光探测器；低温晶片键合；光电子集成

英文摘要：

vertical taper structure; phot

英文主题词： vertical taper structure; phot

结论摘要：

针对"GaAs、InP基功能楔型结构的材料工艺研究及其在新型光电子器件中的应用"课题，我们对其中的关键结构、材料和工艺开展了后续研究，所取得的成果包括结合InP-空气隙微结构的弧型微结构的制备；将楔型结构与InGaNAs新材料结合制备出新型光探测器；大面积的低温晶片键合工艺。这些工艺技术的成果将会推动光电子集成技术的发展。

成果综合统计