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　新型光电子器件中的异质兼容集成与功能微结构体系基础研究
  • 项目名称：　新型光电子器件中的异质兼容集成与功能微结构体系基础研究
  • 批准号：2010CB327600
  • 项目来源：2010年度国家重点基础研究发展计划（973计划）项目
  • 研究期限：2010-01-
  • 项目负责人：任晓敏
  • 依托单位：北京邮电大学
  • 批准年度：2010
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 28
  • 0
  • 0
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期刊论文
光通信波段亚波长光栅偏振器的设计与分析
多波长飞秒激光激发下GaAs纳米线SHG特性研究
一种具有平顶陡边响应的长波长光探测器
利用表面修饰调制GaAs纳米线的电子结构
一种设计环形汇聚光栅反射镜的新方法
一种渐变掺杂型pin光探测器的高速响应性能研究
基于双吸收结构的谐振腔增强型光探测器
基于谐振波导光栅的偏振选择广角光探测器
Cl2/Ar/O2环境下使用光刻胶掩膜的感应耦合等离子体（ICP）刻蚀GaAs的研究
高速高饱和单行载流子光探测器的设计与分析
GaAs纳米线及GaAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线径向异质结构的无催化选区生长的实验研究
晶体外延生长模式的完备理论描述与“后S-K异质兼容生长模式”的预言
全宇观万有作用力假说
狭义相对论的前提与全速域狭义相对论理论模型的构建原则
物质波动性与粒子性的科学表征及光子与姗子的相互转化
异质光纤环腔中双向双波长布里渊激射及其陀螺效应论证
外径波动下空心布拉格光纤的模式传输特性
中红外空心Bragg光纤的制备及在气体传感中的应用
用于气体痕量检测的中红外空心布拉格光纤
Acoustic longitudinal mode coupling in w-shaped Al/Ge Co-doped fibre
InGaAs/Si雪崩光电二极管
无掩模Si圆柱纳米图形衬底上GaAs的异变外延生长
基于硼酸溶液处理的GaAs/InP低温晶片键合技术
InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究
Size-independent growth of pure zinc blende GaAs nanowires
Realizing Zinc Blende GaAs/AlGaAs Axial and Radial Heterostructure Nanowires by Tuning the Growth Temperature
High quality above 3-μm mid-infrared InGaAsSb/AIGaInAsSb multiple-quantum well grown by molecular beam epitaxy
表面悬挂键对GaAs纳米线掺杂的影响及其钝化
任晓敏的项目
大范围精细频率可调谐半导体激光器
III-V族纳异质结构材料与器件研究
期刊论文 84 会议论文 31 专利 11
晶体电子态系中能级弥散及分数维度效应的理论与实验研究
GaAs、InP基功能楔型结构材料工艺研究及在新型光电子器件中应用
期刊论文 1
光通信技术
第九届光电子与光通信领域国际学术会议资助申请
硅基III-V族纳米线的对比研究合成、特性表征及其在纳光子学中的应用
期刊论文 8 会议论文 3
用于WDM的新型集成解复用接收器件的研究
GaAs、InP基功能楔型结构的材料工艺研究及其在新型光电子
期刊论文 9 会议论文 2