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中文摘要：
本项目采用化学气相输运法在常压开放系统中以(0001)蓝宝石为基片，以ZnO粉体为原料，NH4Cl为输运气体，O2和H2O为反应气体，加入适量的HCl作为刻蚀性气体，通过调节NH4Cl输运量，获得沿（0002）方向定向生长的ZnO晶体，晶体呈现六角片状，a、b轴生长速度明显高于c轴方向。晶体在基片上呈外延生长，大面积显露c面，且和蓝宝石c面平行。通过对比O2、H2O、NH4Cl和HCl在晶体生长中的作用，认为HCl对控制晶体呈现外延起了重要作用。采用同样的常压开放系统，以ZnO粉体为原料，HCl和NH3为输运气体，O2和H2O为反应气体，适度过量的HCl作为刻蚀性气体，在(0001)方向的蓝宝石籽晶片上制备了(0002)方向定向生长的ZnO晶体，且a、b轴生长速度明显高于c轴方向。采用（0002）方向的ZnO籽晶片作基片，制备了ZnO单晶厚膜，晶体呈螺旋状外延生长，正极面的单晶摇摆曲线半宽度为39.2弧秒, 电子迁移率121.2 cm2/V.S.
结论摘要：
英文主题词ZnO, Crystal, chemical vapor transport,seed, epitaxial
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