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强磁场下界面金属间化合物层生长规律的研究
  • 项目名称:强磁场下界面金属间化合物层生长规律的研究
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:50471068
  • 申请代码:E010702
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2005-01-01-2007-12-31
  • 项目负责人:赵杰
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:大连理工大学
  • 批准年度:2004
中文摘要:

强磁场作为极端条件是揭示物质内部自由度的最有效手段,从材料学的角度,由于强磁场下电磁力的作用范围可达原子尺度,从而对材料的组织和性能产生巨大而深刻的影响,因此能揭示材料在常规条件下难以出现的奇异现象,为材料研究者开展广泛领域的研究提供了可能和巨大的发展机遇。本项目以Sn-Pb、Sn-Ag基合金与Cu、Ni之间形成的金属间化合物层(界面IMC层)为对象,研究强磁场和温度场作用下界面IMC层生长的动力学规律、界面IMC层的结构特点、合金元素对界面IMC层生长的影响作用以及界面IMC层的生长机理。由于目前有关强磁场对界面IMC层生长规律的研究在国内外未见报道,是尚待开发的新的研究领域之一,因此通过本项目的研究,有望拓展和加深对界面IMC层生长规律、界面IMC层的扩散模型和机理的认识。同时,本项目成果将就界面IMC层的生长在复合材料制备、材料表面改性、电子封装器件中界面结合强度等方面有重要意义。

结论摘要:

研究强磁场下界面金属间化合物(IMC)层的生长行为,发现新的现象并揭示强磁场的作用机理,能够拓展和加深强磁场作用于物质结构、界面迁移和原子迁移规律的认识。本项目以Sn基合金与Cu、Ni基板的IMC层为对象,研究了在固相时效和液/固反应过程中强磁场对界面IMC层的生长动力学、形貌、晶体结构和取向的影响规律,并初步总结了强磁场的作用机制。研究结果表明1. 强磁场的强度和方向均对界面IMC层的生长行为有影响,IMC层的生长速率与IMC层晶粒的长大之间有良好的对应关系,强磁场的施加改变了界面IMC层生长激活能;2. 强磁场对IMC层的生长取向有一定的影响,但不明显,对界面化合物主要特征峰影响不大,但改变了小峰的生长;强磁场对SnCu合金的凝固组织中IMC的形貌影响较大;3. 合金元素对界面IMC层的生长有影响,Bi元素抑制了SnAgCu/Cu扩散偶界面IMC层的生长,在一定范围内提高了扩散偶的剪切强度。依据实验结果初步提出强磁场的作用主要体现在磁化力对合金相图、组元扩散及对溶解度的影响,以及极化力与洛仑兹力对熔体流动、界面溶质原子再分配及熔体中短程有序的影响上。


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 12
  • 6
  • 0
  • 0
  • 0
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