欢迎您！东篱公司
退出
-
申报数据库
-
立项数据库
-
成果数据库
-
项目获奖数据库
位置：立项数据库 > 立项详情页
中文摘要：
ZnO 的p 型薄膜制备一直是难点，是目前制备ZnO pn 结器件的主要障碍。研究表明过低的生长温度有利于p 型掺杂剂（如氮原子）的并入而获得较高的空穴浓度，但材料的结晶度却降低；如提高生长温度，虽有利于提高材料结晶度，但p 型掺杂剂却不易并入。为解决这一问题，本项目通过对p 型ZnO 的MOCVD 生长和掺杂机制的深入研究，创造性的将衬底基座改为具有吹气式快速升降温功能的双温区设计，实现了低温掺杂生长和高温快速退火在MOCVD 中的巧妙结合。先利用低温生长将氮掺杂剂并入晶体，然后在高温下快速退火提高晶体质量，如此周期交替的生长温度调制生长，使稳定可控p型材料实现与二维平整单晶生长兼顾。在获得高性能的p 型ZnO 薄膜基础上，实现ZnO 同质结LED 电注入室温紫外发光（激子发光波长不大于400nm），为进一步实现ZnO 异质结发光器件(如激光器)奠定基础。
结论摘要：
英文主题词p-ZnO film;The nitrogen dopant;The rapid anneal;The repeated temperature modulation(RTM) growth function;MOCVD
成果综合统计
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
期刊论文
Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray phot
Influence of band bending and polarization on the valence band offset measured by x-ray photoelectro
Valence band offset of MgO/TiO2 (rutile) heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy
Characterization of ZnMgO hexagonal-nanotowers/films on m-plane sapphire synthesized by metal organi
A simple route of morphology control and structural and optical properties of ZnO grown by metal-org
Effects of disk rotation rate on the growth of ZnO films by low-pressure metal-organic chemical vapo
Determination of the valence band offset of wurtzite InN/ZnO heterojunction by x-ray photoelectron s
Effects of annealing treatment on the formation of CO2 in ZnO thin films grown by metal-organic chem
Temperature dependence of structural and optical properties of ZnO films grown using methanol as oxi
相关项目
杨少延的项目