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　太赫兹三端电子器件研究
  • 项目名称：　太赫兹三端电子器件研究
  • 批准号：2010CB327502
  • 项目来源：2010年度国家重点基础研究发展计划（973计划）项目
  • 研究期限：2010-01-
  • 项目负责人：金智;齐鸣;于广辉;赵立新;徐安怀
  • 依托单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院微电子研究所
  • 批准年度：2010
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 12
  • 0
  • 0
  • 0
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期刊论文
基于零偏置肖特基二极管的270GHz高性能波导检波器
新结构InGaP／GaAs／InGaPDHBT生长及特性研究
W-band push-push monolithic frequency doubler in 1-μm InP DHBT technology
A 16.9 dBm InP DHBT W-band power amplifier with more than 20 dB gain
A W-band two-stage cascode amplifier with gain of 25.7 dB
Impact of the lateral width of the gate recess on the DC and RF characteristics of InAlAs/InGaAs HEMTs
75GHz 13.92dBm InP DHBT共射共基功率放大器
W波段InGaAs／／InP动态二分频器
Physical modeling based on hydrodynamic simulation for the design of InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors
有效跨导为1052mS／mm的高性能InP基In0．52Al0．48As／In0．53Ga0．47As HEMTs
0.15-μm T-gate In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As InP-based HEMT with fmax of 390 GHz
太赫兹固态电子器件和电路
金智;齐鸣;于广辉;赵立新;徐安怀的项目