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基于TSV测试与容错的3D芯片良率提升方法研究
项目名称:基于TSV测试与容错的3D芯片良率提升方法研究
项目类别:面上项目
批准号:61674048
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:梁华国
依托单位:合肥工业大学
批准年度:2016
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
4
0
0
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期刊论文
抗单粒子翻转的低功耗锁存器设计
基于分布式游标法的2.5DIC传输线测试
40 nm CMOS工艺下的低功耗容软错误锁存器
考虑多时钟周期瞬态脉冲叠加的锁存窗屏蔽模型
梁华国的项目
系统芯片SoC内建式自测试的研究与开发
期刊论文 3
控制器的内建自恢复与内建自测试研究
期刊论文 85
会议论文 26
获奖 2
专利 5
基于老化特征的集成电路失效预测与防护
期刊论文 41
系统芯片SoC外建自测试方法研究
期刊论文 46
会议论文 10