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　C-RAM芯片关键技术研究
  • 项目名称：　C-RAM芯片关键技术研究
  • 批准号：2006AA03Z360
  • 项目来源：“十一五”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料技术领域2006年度专题课题
  • 研究期限：2006-11-
  • 项目负责人：宋志棠
  • 依托单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 批准年度：2006
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 3
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
Si2Sb2Te5 phase change material studied by an atomic force microscope nano-tip
相变随机存储器材料与结构设计最新进展
Si1Sb2Te3 phase change material for chalcogenide random access memory
宋志棠的项目
　半导体相变存储器
期刊论文 11
提高铁电红外探测器热响应的新工艺探索
高性能相变存储技术
期刊论文 11