用等离子体辅助非平衡磁控溅射技术制备低介电常数互连介质CN薄膜;研究制备工艺、等离子体状态与CN膜化学成分、结构、性能之间的关系。通过薄膜生长过程的等离子体在线诊断,优化CN膜及膜-基界面的结构形态,研究CN膜与Si及Cu等材料的黏附性能;通过真空退火工艺,研究CN膜及界面结构、性能的热稳定性;利用Si/CNx/Cu结构,表征CNx膜的介电常数、漏电流及击穿场强等介电性能,研究CNx膜的结构及Si-CNx、CNx-Cu界面对介电性能的影响,为集成电路低介电常数互连介质材料的制备研究奠定理论及工艺基础。
英文主题词Low k materials, CNx films, Plasma Enhanced Deposition, Plasma Diagnostics