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ULSI低介电常数CNx薄膜制备及其介电性能的研究
  • 项目名称:ULSI低介电常数CNx薄膜制备及其介电性能的研究
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:60576022
  • 申请代码:F040601
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2006-01-01-2008-12-31
  • 项目负责人:徐军
  • 负责人职称:副教授
  • 依托单位:大连理工大学
  • 批准年度:2005
中文摘要:

用等离子体辅助非平衡磁控溅射技术制备低介电常数互连介质CN薄膜;研究制备工艺、等离子体状态与CN膜化学成分、结构、性能之间的关系。通过薄膜生长过程的等离子体在线诊断,优化CN膜及膜-基界面的结构形态,研究CN膜与Si及Cu等材料的黏附性能;通过真空退火工艺,研究CN膜及界面结构、性能的热稳定性;利用Si/CNx/Cu结构,表征CNx膜的介电常数、漏电流及击穿场强等介电性能,研究CNx膜的结构及Si-CNx、CNx-Cu界面对介电性能的影响,为集成电路低介电常数互连介质材料的制备研究奠定理论及工艺基础。

结论摘要:

英文主题词Low k materials, CNx films, Plasma Enhanced Deposition, Plasma Diagnostics


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
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  • 著作
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