位置：成果数据库 > 著作 > 著作详情页
碲镉汞异质结能带结构的优化设计
  • 所属机构名称：中国科学院上海技术物理研究所
  • 成果类型：著作
  • 出版社：物理学报,已接受
  • 语言：中文
  • 相关项目：HgCdTe的材料芯片方法研究
作者： 全知觉|孙立忠|叶振华|李志锋|陆卫|
同著作项目
HgCdTe的材料芯片方法研究
期刊论文 7 著作 12
同项目著作
HgCdTe红外探测器离子注入剂量优化研究
碲镉汞异质结能带结构的优化设计
光伏型碲镉汞长波探测器暗电流特性的参数提取研究
降低平面型碲镉汞焦平面阵列光谱串音的结构优化研究
Effects of carrier degeneracy and conduction band non-parabolicity on the simulation of HgCdTe photovoltaic devices
光伏型碲镉汞长波探测器暗电流特性的参数提取研究
降低平面型碲镉汞焦平面阵列光谱串音的结构优化研究
Effects of carrier degeneracy and conduction band non-parabolicity on the simulation of HgCdTe photovoltaic devices
Study on optimizing the performance of infrared detectors using material chip technology
Recrystallization behavior of high-dose Mn -implanted GaAs
质子注入MBE碲镉汞N-on-P结性能研究