HgCdTe的材料芯片方法研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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HgCdTe的材料芯片方法研究

项目名称：HgCdTe的材料芯片方法研究
项目类别：专项基金项目
批准号：60244002
申请代码：F040101
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2003-01-01-2005-12-01

项目负责人：李志锋
负责人职称：研究员
依托单位：中国科学院上海技术物理研究所
批准年度：2002

中文摘要：

针对碲镉汞材料工艺中遇到的基本物理特性体现的统计性特点，引入材料芯片研究方法对碲镉汞p-n结特性和形成工艺进行研究。应用材料芯片技术高效率、高可比性信息快速获取的优点、寻找出关于优质p-n结构的形成起着真正制约作用的物理起源。在统计性研究基础上，澄清p-n结形成中物理模型方面的争议，获得优化p-n结特性的具体可行方向。

中文主题词：离子注入；材料芯片；HgCdTe；优化；统计规律

结论摘要：

英文主题词ion implantation; material chip; HgCdTe; optimization; statistical pattern

成果综合统计