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Effects of carrier degeneracy and conduction band non-parabolicity on the simulation of HgCdTe photovoltaic devices
  • 所属机构名称：中国科学院上海技术物理研究所
  • 成果类型：著作
  • 出版社：Infrared Physics & Technology, in press
  • 语言：英文
  • 相关项目：HgCdTe的材料芯片方法研究
作者： Z.J. Quan|G.B. Chen|L.Z. Sun|Z.H. Ye|Z.F. Li|W. Lu|
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