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碲镉汞异质结能带结构的优化设计
  • 所属机构名称：中国科学院上海技术物理研究所
  • 成果类型：著作
  • 出版社：物理学报,已接受
  • 语言：中文
  • 相关项目：HgCdTe的材料芯片方法研究
作者： 全知觉|孙立忠|叶振华|李志锋|陆卫|
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