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Recrystallization behavior of high-dose Mn -implanted GaAs
  • 所属机构名称：中国科学院上海技术物理研究所
  • 成果类型：著作
  • 出版社：APPLIED PHYSICS A76, 975-978 (2003)
  • 语言：英文
  • 相关项目：HgCdTe的材料芯片方法研究
作者： Wang J.Q.|Li Z.F.|Cai W.Y.|Miao Z.L|Chen X.S.|Lu W|
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