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DC Characteristics of Large Gate Periphery InAlN/GaN HEMT on Sapphire Substrate
  • 所属机构名称：中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 会议名称：2011 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC)
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：InAlN/GaN无应变新异质结场效应晶体管材料研究
作者： Zhang Shi-lin|Liu Bo|Mao Lu-hong|Feng Zhi-hong|Xie Sheng|
同会议论文项目
InAlN/GaN无应变新异质结场效应晶体管材料研究
期刊论文 33 会议论文 10 获奖 1 专利 4
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