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10-GHz 4.69W/mm InAlN/GaN HFET on Sapphire Substrate
  • 所属机构名称：中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 会议名称：9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：InAlN/GaN无应变新异质结场效应晶体管材料研究
作者： B. Liu|J. Y. Yin|S. J. Cai|Z. H. FENG|J. J. Wang|S. B. Dun|G. D. Gu|J. Q. Li|
同会议论文项目
InAlN/GaN无应变新异质结场效应晶体管材料研究
期刊论文 33 会议论文 10 获奖 1 专利 4
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