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晶格匹配AlInN/AlN/GaN/AlN/GaN双沟道异质结材料研究
  • 所属机构名称：中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 会议名称：第十一届全国MOCVD学术会议
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：InAlN/GaN无应变新异质结场效应晶体管材料研究
作者： 冯志红|尹甲运|张森|蔡树军|刘波|
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InAlN/GaN无应变新异质结场效应晶体管材料研究
期刊论文 33 会议论文 10 获奖 1 专利 4
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