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GaN基HEMT器件可靠性研究
  • 所属机构名称：中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 会议名称：2011'全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：InAlN/GaN无应变新异质结场效应晶体管材料研究
作者： 邢东|房玉龙|冯志红|刘波|蔡树军|敦少博|尹甲运|王晶晶|
同会议论文项目
InAlN/GaN无应变新异质结场效应晶体管材料研究
期刊论文 33 会议论文 10 获奖 1 专利 4
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