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Novel High Voltage LDMOS on Partial SOI with double-sided Charge Trenches
  • 所属机构名称：电子科技大学
  • 会议名称：ISPSD
  • 成果类型：会议
  • 会场：Sandiego, USA
  • 相关项目：SOI高压器件荷致高场理论与新结构
作者： M Qiao|Bo Zhang|Y G Wang|Xiaorong Luo|Zhaoji L|
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