欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO(2) nan
ISSN号:0003-6951
期刊名称:Applied Physics Letters
时间:2011.3.3
页码:121117-
相关项目:AlGaN基声表面波型日盲紫外探测器研究
作者:
Sun, Xiaojuan|Li, Dabing|Jiang, Hong|Li, Zhiming|Song, Hang|Chen, Yiren|Miao, Guoqing|
同期刊论文项目
AlGaN基声表面波型日盲紫外探测器研究
期刊论文 26
会议论文 2
获奖 1
专利 2
同项目期刊论文
Realization of a High-Performance GaN UV Detector by Nanoplasmonic Enhancement
初始化生长条件对a-GaN中应变的影响
预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文)
直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文)
SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响
GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling and its simulation
Effect of asymmetric Schottky barrier on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet detector
AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文)
GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性
GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文)
In situ observation of two-step growth of AlN on sapphire using high-temperature metal–organic
An aluminum nitride photoconductor for X-ray detection
氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文)
Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors
氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究
AlN插入层对α-AlGaN的外延生长的影响(英文)
预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响