位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文)
  • ISSN号：1000-7032
  • 期刊名称：发光学报
  • 时间：2012
  • 页码：519-524
  • 相关项目：AlGaN基声表面波型日盲紫外探测器研究
作者： 贾辉|陈一仁|孙晓娟|黎大兵|宋航|蒋红|缪国庆|李志明|
同期刊论文项目
AlGaN基声表面波型日盲紫外探测器研究
期刊论文 26 会议论文 2 获奖 1 专利 2
同项目期刊论文
Realization of a High-Performance GaN UV Detector by Nanoplasmonic Enhancement
Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO(2) nan
初始化生长条件对a-GaN中应变的影响
预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文)
直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文)
SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响
GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling and its simulation
Effect of asymmetric Schottky barrier on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet detector
GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性
GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文)
In situ observation of two-step growth of AlN on sapphire using high-temperature metal–organic
An aluminum nitride photoconductor for X-ray detection
氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文)
Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors
氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究
AlN插入层对α-AlGaN的外延生长的影响(英文)
预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响
期刊信息
  • 《发光学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会发光分会 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 主编：申德振
  • 地址：长春市东南湖大路3888号
  • 邮编：130033
  • 邮箱：fgxbt@126.com
  • 电话：0431-86176862
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-7032
  • 国内统一刊号：ISSN：22-1116/O4
  • 邮发代号:12-312
  • 获奖情况:
  • 物理学类核心期刊,2000年获中国科学院优秀期刊二等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7320