位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
A Comparative Study of Ballistic Transport Models for Nanowire MOSFETs
  • ISSN号:0256-307X1741-3540
  • 期刊名称:Chinese Physics Letters
  • 时间:2013
  • 页码:-
  • 相关项目:90纳米以下高性能CMOS图像传感器关键技术研究
同期刊论文项目
期刊论文 82 会议论文 12 专利 33
同项目期刊论文