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Gate Underlap Design for Short Channel Effects Control in Cylindrical Gate-all-around MOSFETs based
  • ISSN号:0256-4602
  • 期刊名称:IETE Technical Review
  • 时间:2012.2
  • 页码:29-35
  • 相关项目:90纳米以下高性能CMOS图像传感器关键技术研究
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