位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Microstructure evolution of W(Mo)/Cu nanometer multilayer films under He+ ion irradiation
  • ISSN号：1000-3290
  • 期刊名称：Acta Physica Sinica
  • 时间：2013
  • 页码：-
  • 相关项目：用于同位素电池的多孔硅的几个基本问题的研究
作者： Zhi Chao-Hu|Liu Bo|Ren Ding|Yang Bin|Lin Li-Wei|
同期刊论文项目
用于同位素电池的多孔硅的几个基本问题的研究
期刊论文 15 会议论文 2
同项目期刊论文
Effect of initial-annealing on the microstructure of C–SiC/Cu composite coatings
Release of hydrogen during transformation from porous silicon to silicon oxide at normal temperature
含IPA的TMAH溶液对湿法腐蚀硅倒金字塔阵列微观形貌演化的研究
Study on the Porosity of TiO2 Films Prepared by Using Magnetron Sputtering Deposition
Characterization of the surface layer due to oxygen for the hydrogen related C-SiC films
Study in the oxygen contamination on the surface of C-SiC films
Effect of initial-annealing on thermal stability of hydrogen in C–SiC:H films
Effect of sputtering bias voltage on the structure and properties of Zr–Ge–N diffusion barrier films
Cu(Ge) alloy films with zirconium addition on barrierless Si for excellent property improvement
Fabrication of porous silicon nanotips by using argon ion-beam irradiation
调幅W（Mo）/Cu纳米多层膜He^＋离子辐照响应行为
期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编：100190
  • 邮箱：apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649026
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3290
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:49876