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CdS/CdSe核壳结构半导体纳米晶结构及光谱特性
  • 期刊名称:硅酸盐学报、2009,37(2):60-65
  • 时间:0
  • 分类:TN304[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]同济大学材料科学与工程学院
  • 相关基金:国家自然科学基金(50572072,50702037)资助项目
  • 相关项目:磁性与荧光双重标记的半导体量子点发光纳米磁性微球
中文摘要:

采用共沉淀法在水相中将CdS外延生长于CdSe半导体纳米晶(CdSe NCs)表面,制备了结晶形态较好的CdSe/CdS核壳结构半导体纳米晶(CdSe/CdSC/SNCs),并改善了CdSe NCs的荧光性能。通过X射线衍射,透射电镜和选区电子衍射分析证明了核壳结构的形成,并通过紫外可见光吸收光谱和荧光光谱分析证明了核壳结构对CdSe NCs荧光性能的改善。此外,实验结果表明:控制CdSe核合成中Cd前驱体溶液pH值能获得粒径分布较窄的CdSe/CdSC/SNCs;采用不同浓度比的Cd和Se前驱体溶液可以有效调节核壳结构半导体纳米晶的粒径;选择合适的CdSe与CdS摩尔比及壳层中Cd与S摩尔比能改善CdSe/CdSC/SNCs的荧光性能。

英文摘要:

CdSe/CdS core/shell semiconductor nanocrystals(CdSe/CdS C/S NCs) were prepared by CdS epitaxial growth on the surface of CdSe semiconductor NCs in aqueous phase through co-precipitation.The as-prepared CdSe/CdS C/S NCs possessed good crystallinity and improved the photoluminescence(PL) property of CdSe NCs.X-ray diffraction,transmission electron microscopy and selective area electron diffraction analysis confirmed the epitaxial growth of CdS on the surface of CdSe NCs,and ultraviolet-visible absorption and ...

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