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磁控溅射法制备硅纳米晶体及其光电特性研究
  • ISSN号：1001-8972
  • 期刊名称：中国科技信息
  • 时间：0
  • 页码：33-34
  • 分类：O484.4[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]苏州科技学院数理学院物理科学与技术系,苏州215011
  • 相关基金：基金项目：国家自然基金项目（No.60976071）
  • 相关项目：稀磁锗(Ge)介观量子环的光电磁特性研究
作者： 王威|丁澜|马锡英|
关键词： 硅纳米晶体, 磁控溅射, 扫描电镜, 红外光谱, X射线衍射
中文摘要：

本文介绍了以高纯硅为靶材,利用直流磁控溅射法在P型硅（111）衬底上生长硅纳米晶体薄膜,并在600摄氏度温度下退火处理。应用扫描电镜观察发现制备的硅纳米晶体粒度均匀,薄膜粗糙度小。X射线衍射仪分析发现硅纳米晶体具有（201）晶面取向生长的特点。与块体材料相比,硅纳米晶体不仅具有良好的电学性能,还具有良好的光学性能,其吸收谱包含本征、激子和自由载流子等丰富的吸收峰。

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  • 国际标准刊号：ISSN：1001-8972
  • 国内统一刊号：ISSN：11-2739/N
  • 邮发代号:82-415
  • 获奖情况:
  • 中国科协、中国图书馆学会“解读科学发展观推介书目”
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:56747