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Analysis of heating effect on the process of high deposition rate microcrystalline silicon
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：Chinese Physics B
  • 时间：0
  • 页码：-
  • 相关项目：基于硅基薄膜太阳电池沉积过程中的瞬态与稳态等离子体空间反应机理研究
作者： Zhang Xiao-Dan|Zhang He|Wei Chang-Chun|Sun Jian|Hou Guo-Fu|Xiong Shao-Zhen|Geng Xin-Hua|Zhao Ying|
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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406