位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Photoluminescence from InGaN/G
  • 时间：0
  • 相关项目：氧等离子体对III-V族氮化物的光学、电学性质影响的研究
同期刊论文项目
氧等离子体对III-V族氮化物的光学、电学性质影响的研究
期刊论文 32
同项目期刊论文
高反射率p-GaN欧姆接触电极,
GaN基LED电流扩展的有限元模型及电极结构优化
Junction Temperature and Relia
氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的
InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱
GaN基白光LED的结温测量
Effects of oxidation by O-2 pl
Polarization of edge emission
Luminescence degradation of In
Influence of various annealing
Ohmic contact mechanism of Ni/
Investigation on the different
GaN基大功率倒装焊蓝光LED的I-V
Temperature dependent diffusio
GaN基LED电流扩展的有限元模型及
高亮度白光LED用外延片的新进展
孙维国,AlGaN MSM紫外探测器
Correlation of contact resista
The origins of double emission
GaN基大功率倒装焊蓝光LED的I-V特性研究
p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性
GaN基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化
GaN基激光器电子阻挡层的优化分析
GaN基紫光LED的可靠性研究
采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED
激光剥离转移衬底的薄膜GaN基LED器件特性分析