欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Analytical I-V model and numerical analysis of single electron transistor
ISSN号:1000-3290
期刊名称:Acta Physica Sinica
时间:2013
页码:1-7
相关项目:单量子点微纳机电器件的制备与器件物理研究
作者:
Su Li-Na|Gu Xiao-Feng|Qin Hua|Yan Da-Wei|
同期刊论文项目
单量子点微纳机电器件的制备与器件物理研究
期刊论文 37
会议论文 2
同项目期刊论文
5.8 GHz低噪声放大器的设计和优化
用于RFID读写器的连续/离散混合级联ΣΔ调制器
iOS平台下惯性室内定位系统设计与实现
Degradation mechanism of leakage current in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Mechanisms of Forward Current and Reverse Leakage Current in GaN-based Blue Light Emitting Diodes
基于0.5 ?m BCD工艺的双向SCR结构的ESD保护设计
Electron leakage related low-temperature light emission efficiency behavior in GaN-based blue light-
微米尺度悬浮式机电器件的电荷穿梭特性
Forward Current Transport Mechanism and Schottky Barrier Characteristics of a Ni/Au Contact on n-GaN
应变PMOS二维阈值电压解析模型
硅基单电子晶体管的可控制备
2-1-1级联连续时间型ΣΔ调制器系统设计
纵向NPN的ESD保护结构的设计和分析
基于SIFT技术的集成电路失效缺陷分析
基于BJT的ESD保护器件中维持电压的建模与分析
应用于音频芯片的高精度ΣΔ调制器设计
基于ZigBee网络的多网关传输系统设计
GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响
0.18 μm RF CMOS双向可控硅ESD防护器件的研究
短沟道双栅MOSFET二维表面势解析模型
2.4 GHz低噪声放大器的全芯片ESD保护设计
宽带低噪声放大器与ESD防护的协同设计与研究
基于ZigBee和GSM的短信控制开关系统的设计和实现
基于0.18μm CMOS RF工艺的有源电感设计和优化
原子层沉积Al2O3/n-GaN MOS结构的电容特性
HEMT太赫兹探测器响应度和NEP的检测与分析
基于0.5μmBCD工艺的双向SCR结构的ESD保护设计
2.4GHz低噪声放大器的全芯片ESD保护设计
单电子晶体管电流解析模型及数值分析
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管漏电流退化机理研究
原子层沉积Al2O3/n—GaN MOS结构的电容特性:
Electron-leakage-related low-temperature light emission efficiency behavior in GaN- based blue light-emitting diodes
0.18μm RF CMOS双向可控硅ESD防护器件的研究
应用于音频芯片的高精度∑△调制器设计
单电子晶体管用于电荷检测的研究
2-1-1级联连续时间型ΣΔ调制器系统设计
期刊信息
《物理学报》
北大核心期刊(2011版)
主管单位:中国科学院
主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
主编:欧阳钟灿
地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
邮编:100190
邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
电话:010-82649026
国际标准刊号:ISSN:1000-3290
国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
邮发代号:2-425
获奖情况:
1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
国内外数据库收录:
美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
被引量:49876