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65nm体硅CMOS工艺器件尺寸对脉冲消减效应的影响
  • ISSN号：1006-2467
  • 期刊名称：上海交通大学学报
  • 时间：2013
  • 页码：24-29
  • 相关项目：吉赫兹锁相环单粒子瞬变效应建模与加固技术研究
作者： 李鹏|赵振宇|郑超|张民选|
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期刊信息
  • 《上海交通大学学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中华人民共和国教育部
  • 主办单位:上海交通大学
  • 主编：郑杭
  • 地址：上海市华山路1954号15F
  • 邮编：200030
  • 邮箱：shjt@chinajournal.net.cn
  • 电话：021-62933373 62932534
  • 国际标准刊号：ISSN：1006-2467
  • 国内统一刊号：ISSN：31-1466/U
  • 邮发代号:4-256
  • 获奖情况:
  • 1996年全国优秀科技期刊奖,1992年、1996年、1999年国家教育部系统优秀科技期刊奖,2002年“百种重点期刊奖”,2003年百种中国杰出学术期刊,2004年教育部全国高校优秀科技期刊一等奖,2004年“百种重点期刊奖”
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,德国数学文摘,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:30903