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薄膜结构对Si／SiO2 I-V特性的影响
  • ISSN号：1005-4642
  • 期刊名称：《物理实验》
  • 时间：0
  • 分类：O484.42[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]甘肃农业大学理学院,甘肃兰州730070, [2]西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃兰州730070
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目（No.10874140）;甘肃省自然科学基金资助项目（No.0710RJZA105）;教育部科学技术研究资助项目（No.204.139）;甘肃农业大学理学院青年教师科研基金资助项目（No.lxy_02）.
作者： 马自军[1], 马书懿[2]
关键词： 射频磁控溅射, Si/SiO2纳米薄膜, I-V特性, RF magnetron sputtering, nano-size Si/SiO2 film, I-V properties
中文摘要：

用射频磁控溅射法制备了3种结构的Si／SiO2纳米薄膜，测定了薄膜的I-V特性．实验结果分析表明，薄膜结构是影响其FV特性的主要因素．

英文摘要：

Three kinds of Si/SiO2 film are fabricated using the RF magnetron sputtering technique. The I-V properties of nano-size Si/SiO2 films are tested. The results indicate that the nano- structure of the film is the key factor that affects on the I-V properties of Si/SiO2 film.

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期刊信息
  • 《物理实验：中学部分》
  • 主管单位:
  • 主办单位:东北师范大学
  • 主编：吴思诚
  • 地址：长春市人民大街5268号东北师范大学内
  • 邮编：130024
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  • 电话：0431-5269569(
  • 国际标准刊号：ISSN：1005-4642
  • 国内统一刊号：ISSN：22-1144/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:8