位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
具有无机有机双绝缘层和修饰电极的薄膜晶体管
  • ISSN号:1005-0086
  • 期刊名称:《光电子.激光》
  • 时间:0
  • 分类:TN321.5[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]上海大学材料学院,上海嘉定201800, [2]上海大学新型显示教育部重点实验室,上海200072
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(90202034,60477014,60577041);国家“973”计划资助项目(2002CB613400)
中文摘要:

研究了有机薄膜晶体管器件。器件是以热生长的SiO2作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,酞菁铜作为有源层的。实验表明采用一种硅烷耦合剂-十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰SiO2可以有效地降低栅绝缘层的表面能从而明显提高了器件的性能。器件的场效应迁移率提高了2.5倍、阈值电压降低了3 V、开关电流比从103增加到104。同时我们采用MoO3修饰铝作为器件的源漏电极,形成MoO3/Al双层电极结构。实验表明在同样的栅极电压下,具有MoO3/Al电极的器件和金电极的器件有着相似的源漏输出电流Ids。结果显示具有OTS/SiO2双绝缘层的及MoO3/Al电极结构的器件能有效改进有机薄膜晶体管的性能。

英文摘要:

An organic thin-film transistor(OTFT) device is investigated.Thermal grown SiO2 layer is used as the OTFT gate dielectric;Copper phthalocyanine(CuPc) is used as an active layer.It is found that using silane coupling agents-octadecyltrichlorosilane(OTS) can reduce the surface energy of the SiO2 gate dielectric and significantly improve device performance.This OTS/SiO2 bilayer gate insulator configuration increases the field-effect mobility by 2.5 times,reduces the threshold voltage by 3 V,and improves the on/off ratio from 10^3 to 10^4.We adopte MoO3 to modify Al as drain and source electrodes with double-layer structure at the same time.The device with MoO3/Al electrode has similar Ids compared with the device with Au electrode at same gate voltage.Our results indicate that using double-layer of electrode and double-layer of insulator is an effective way to improve OTFT performance.

同期刊论文项目
同项目期刊论文
期刊信息
  • 《光电子.激光》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:天津市教育委员会
  • 主办单位:天津理工大学 中国光学学会
  • 主编:巴恩旭
  • 地址:天津市西青区宾水西道391号
  • 邮编:300384
  • 邮箱:baenxu@263.net baenxu@aliyun.com
  • 电话:022-60214470
  • 国际标准刊号:ISSN:1005-0086
  • 国内统一刊号:ISSN:12-1182/O4
  • 邮发代号:6-123
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:16551