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PECVD沉积氮化硅膜的工艺研究
  • ISSN号：0254-0096
  • 期刊名称：太阳能学报
  • 时间：0
  • 页码：54-59
  • 分类：TK513[动力工程及工程热物理—热能工程]
  • 作者机构：[1]北京交通大学太阳能研究所,北京100044, [2]北京中联科伟达技术股份有限公司,北京100044
  • 相关基金：国家自然科学基金（60978060;10974013）;北京市科委（Z090803044009001）;教育部博士点基金（20090009110027;0070004024）;博士点新教师基金（2007004031）;北京市科技新星计划（2007A024）
  • 相关项目：利用新型无机纳米结构阵列加强有机薄膜太阳能电池效率的研究
作者： 刘志平|赵谡玲|徐征|刘金虎|李栋才|
关键词： PECVD, 氮化硅, 镀膜工艺, 少子寿命, PECVD, silicon nitride, deposition rate, minority cartier lifetime
中文摘要：

采用等离子体增强型化学气相沉积（PECVD）法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜，通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH4／NH3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度为450℃、NH3／SH4=8：1、总气体流量为4320sccm、压力为170Pa、沉积时间为720s的条件下生长出平均膜厚为75nm、折射率为2．05、少子寿命相对较高的氮化硅膜，且应用于单晶整舟为168片的管式PECVD设备，片间膜厚级差在5nm以内，而折射率级差在0．3以内，少子寿命可提高约30％。

英文摘要：

Antireflection from of silicon nitride （SiNx） was deposited for crystalline silicon solar cells by means of plasma enhanced chemical vapor deposition （PECVI））. The effect of the pressure, ratio of SiH4/NH3, the gas flow, temperature and deposition time were investigated . The deposition rate, refractive index, film uniformity and minority cartier lifetime were realized. The optimized film of 75nm SiNx with reflection index of 2.05 was obtained in the production line.

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期刊信息
  • 《太阳能学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科协
  • 主办单位:中国可再生能源学会
  • 主编：
  • 地址：北京市海淀区花园路3号
  • 邮编：100083
  • 邮箱：
  • 电话：010-62001037
  • 国际标准刊号：ISSN：0254-0096
  • 国内统一刊号：ISSN：11-2082/TK
  • 邮发代号:2-165
  • 获奖情况:
  • 1992年北京新闻出版局评比全优期刊奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:20390