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Strain Relaxation in Ultrathin SGOI Substrates Fabricated by Multistep Ge Condensation Method
  • ISSN号:0013-4651
  • 期刊名称:Journal of the Electrochemical Society
  • 时间:0
  • 页码:H115-H118
  • 语言:英文
  • 相关项目:SOI基高速、窄谱带响应长波长Ge光电探测器研究
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