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Ge组分对SiGeHBT直流特性的影响
  • ISSN号:1000-3819
  • 期刊名称:《固体电子学研究与进展》
  • 时间:0
  • 分类:TN469[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构:[1]厦门大学物理系,半导体光子学研究中心, [2]中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室
  • 相关基金:福建省青年科技人才创新基金(2004J021);国家自然科学基金(60676027.50672079);福建省科技重点项目(2006H0036)
中文摘要:

制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高。Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍。

英文摘要:

Multi-finger double-mesa SiGe heterojunction bipolar transistors (HBT) with Ge content of 0.20 and 0. 23 have been fabricated. With a little increase of Ge content from 0. 20 to 0. 23, the current gain increases as much as 2.6 times. Although the ratio of recombination current increases with increase of Ge content in base, due to high injection of minor carriers from the emitter to base, the total base current decreases and the collector current increases with increase of Ge content.

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期刊信息
  • 《固体电子学研究与进展》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:南京电子器件研究所
  • 主编:杨乃彬
  • 地址:南京中山东路524号(南京160信箱43分箱)
  • 邮编:210016
  • 邮箱:gtdz@chinajournal.net.cn
  • 电话:025-86858161
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3819
  • 国内统一刊号:ISSN:32-1110/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵双效期刊,江苏省第六届优秀期刊,工信部09-10年期刊编辑质量优秀奖
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:2461