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氮掺杂金刚石膜的生长特性
  • ISSN号:1674-4926
  • 期刊名称:《半导体学报:英文版》
  • 时间:0
  • 分类:O484[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]天津理工大学薄膜电子与通信器件天津市重点实验室,天津300191, [2]吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春130012
  • 相关基金:国家自然科学基金(批准号:60576011),天津市自然科学重点基金(批准号:05YFJZJC00400,06TXTJJC14701)资助项目
中文摘要:

采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD),在含氮气氛中制备出金刚石膜,利用SEM、Raman光谱、EPR测试手段研究了氮气对金刚石膜品质的影响及氮掺杂特性.结果表明,在950℃基片温度下,沉积气氛中掺入氮气后,金刚石膜晶形变为“菜花状”,非金刚石碳的含量增加,膜的品质下降.在800℃基片温度下,沉积气氛中掺入氮气后,孪晶和二次成核减少,金刚石膜的结晶形貌得到改善.通过Raman光谱和EPR分析发现,在金刚石膜中氮杂质主要以Ns0,[N-V]0和[N-V]-1的形式存在,而且随着氮气流量的增加,Ns0的含量增加,[N-V]0含量减少,[N-V]-1含量变化不明显.

英文摘要:

Diamond films were prepared by an electron assisted chemical vapor deposition system (EA-CVD) in an atmosphere with a nitrogen addition. SEM,Raman spectroscopy,and EPR were employed to study the influence of nitrogen on the films' quality and the characteristics of nitrogen doping. The results show that for the films deposited at 950℃, the morphology changes to cauliflower- like structures,the content of non-diamond carbon increases,and the quality drops after adding nitrogen into the atmosphere. For the films deposited at 800℃ ,the addition of nitrogen reduces the twins and secondary nucleation, and improves the films’ morphology. EPR and Raman spectra indicate that nitrogen impurities in the films mainly exist in the forms of Ns^0 ,[N-V]^0 ,and [N-V]^-1. Along with the increase of nitrogen flow rate, the content of Ns^0 increases, the content of [N-V]^0 decreases, and the content of [N-V]^-1 does not change obviously.

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期刊信息
  • 《半导体学报:英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编:李树深
  • 地址:北京912信箱
  • 邮编:100083
  • 邮箱:cjs@semi.ac.cn
  • 电话:010-82304277
  • 国际标准刊号:ISSN:1674-4926
  • 国内统一刊号:ISSN:11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:7754