中文摘要：

采用三步共蒸发工艺顺序沉积铜铟镓硒（CuInGaSe2，CIGS）薄膜。薄膜的厚度、组份、晶相结构分别由台阶仪、X射线荧光光谱仪（XRF）和X射线衍射仪（XRD）来表征。在（In，Ga）2Se3预制层-富Cu相的演变过程中，依次发生以下相变：Cu（In，Ga）5Se8、Cu（In，Ga）3Se5、Cu2（In，Ga）4Se7（或Cu（In，Ga）2Se3.5）、Cu（In，Ga）Se2（液相CuxSe）。在富Cu相-富In（Ga）相的演变过程中，依次发生以下相变：Cu（In，Ga）Se2（液相CuxSe）、Cu2（In，Ga）4 Se7（或Cu（In，Ga）2Se3．5）、Cu（In，Ga）3 Se5、Cu（In，Ga）5Se8。对这两个演变过程中薄膜的生长机理和结构特性进行了讨论。

英文摘要：

CIGS thin films were sequentially deposited by three stage co-evaporation technique. The thickness,the composition and the crystal structure of the films were measured by step meter,X-ray fluorescence（XRF） and X-ray diffraction（XRD） respectively. The crsytal phase evolution is Cu（In, Ga）5 Se8 ,Cu（In, Ga）3 Se5 , Cu2（In, Ga）4 Se7 （or Cu（In, Ga）2 Se3. 5 ） and Cu（In,Ga）Se2 （CuxSe） successively from （In, Ga）2 Se3 to Cu rich phases. The crsytal phase evolution is Cu（In, Ga）Se2 （Cux Se）,Cu2 （In,Ga）4 Se7 （or Cu（In,Ga）2 Se3.5）,Cu（In,Ga）3 Se5 and Cu（In,Ga）5 Sea from Cu rich phases to In（Ga） rich phases. At the same time,the growth mechanism and structural properties of thin films were discussed in the two processes.