位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Effects of high-temperature annealing on the structure of reactive-sputtered a-SiC:H films
  • 期刊名称：APIA'98
  • 时间：0
  • 页码：1998,Th-P-13
  • 语言：英文
  • 相关项目：宽带隙半导体薄膜欧姆接触特性和机理研究
作者： 王印月|
同期刊论文项目
宽带隙半导体薄膜欧姆接触特性和机理研究
期刊论文 9
同项目期刊论文
CTL测量金属/半导体欧姆接触电阻率
Si-based multielement thin films prepared by r.f.reactive sputtering at room temperature
氩离子轰击对SP-a-SiC膜退火形成6H-SiC的影响
反应溅射a-SiCxNy:HRM薄膜特性
纳米粉预处理的CVD金刚石膜成核与生长研究
The effect of RF power on the growth of C-BN film on nickel substrates
Effects of high-temperature annealing structure of reactive-sputtered a-SiC:H films
Research on the specific ohmic contact resistance of metal/semiconductor contacts