欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
CTL测量金属/半导体欧姆接触电阻率
期刊名称:半导体光电
时间:0
页码:1999,20.4,241-244
语言:中文
相关项目:宽带隙半导体薄膜欧姆接触特性和机理研究
作者:
孙燕杰,王印月|
同期刊论文项目
宽带隙半导体薄膜欧姆接触特性和机理研究
期刊论文 9
同项目期刊论文
Si-based multielement thin films prepared by r.f.reactive sputtering at room temperature
氩离子轰击对SP-a-SiC膜退火形成6H-SiC的影响
反应溅射a-SiCxNy:HRM薄膜特性
纳米粉预处理的CVD金刚石膜成核与生长研究
The effect of RF power on the growth of C-BN film on nickel substrates
Effects of high-temperature annealing on the structure of reactive-sputtered a-SiC:H films
Effects of high-temperature annealing structure of reactive-sputtered a-SiC:H films
Research on the specific ohmic contact resistance of metal/semiconductor contacts