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一个电压接近1V 10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源
  • ISSN号:1674-4926
  • 期刊名称:《半导体学报:英文版》
  • 时间:0
  • 分类:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构:[1]清华大学微电子研究所,北京100084, [2]清华大学电子工程系,北京100084
  • 相关基金:国家自然科学基金(批准号:60475018)及北京市科技发展计划(批准号:D0305004040221-2-05)资助项目
中文摘要:

介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源.由于采用电流模结构,带隙基准源的最低电源电压为900mV.通过VEB线性化补偿技术,带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm/℃.在电源电压为1.1V时,电源电流为43μA,低频的PSRR为55dB.该带隙基准源已通过UMC0.18μm混合信号工艺验证,芯片面积为0.186mm^2.

英文摘要:

A low voltage bandgap reference with curvature compensation is presented. Using current mode structure, the proposed bandgap circuit has a minimum voltage of 900mV. Compensated through the VEB linearization technique, this bandgap reference can reach a temperature coefficient of 10ppmFC from 0 to 150℃. With a 1.1V supply voltage,the supply current is 43μA and the PSRR is 55dB at DC frequency. This bandgap reference has been verified in a UMC 0.18μm mixed mode CMOS technology and occupies 0. 186mm^2 of chip area.

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期刊信息
  • 《半导体学报:英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编:李树深
  • 地址:北京912信箱
  • 邮编:100083
  • 邮箱:cjs@semi.ac.cn
  • 电话:010-82304277
  • 国际标准刊号:ISSN:1674-4926
  • 国内统一刊号:ISSN:11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:7754