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POSS基低介电常数多孔薄膜的制备与性能研究

ISSN号：1001-9731
期刊名称：《功能材料》
时间：0
分类：TB383[一般工业技术—材料科学与工程] O484.4[理学—固体物理;理学—物理]
作者机构：[1]安徽大学化学化工学院,安徽省绿色高分子材料重点实验室,安徽合肥230039, [2]东华大学材料科学与工程学院,纤维高分子材料改性国家重点实验室,上海201620
相关基金：国家自然科学基金资助项目（90606011,50472038）;新世纪优秀人才基金资助项目（NCEF-04-0588）.

关键词： POSS, 多孔薄膜, 低介电常数, POSS, porous films, low dielectric constant

中文摘要：

通过4，4’-二（4-烯丙氧基苯甲酸）苯酯与POSS分子的硅氢化反应，合成了POSS交联聚合物。用FTIR、XRD对聚合物结构进行了表征，利用椭偏仪测量了薄膜的折射率和介电常数。通过改变单体与POSS投料摩尔比，可制备出k＜2.5的低介电常数薄膜。

英文摘要：

The crosslinked polymers containing POSS were prepared by hydrosilycation between 4,4＇-bis（4-allyloxy -benzoyloxy）phenyl and the multifunctional POSS molecule. Their structures were characterized by FTIR and X-ray. The refractive index and dielectric constant of cross-linked polymer films are measured by Ellipsometer. The films with dielectric constant less than 2.5 are obtained by altering the molar ratio of the monomer to the POSS molecule.

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