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Si在水汽中氧化传质机制的H218O/H216O同位素示踪研究
  • ISSN号：1000-3290
  • 期刊名称：《物理学报》
  • 时间：0
  • 分类：TG174.451[金属学及工艺—金属表面处理;金属学及工艺—金属学] P641.2[天文地球—地质矿产勘探;天文地球—地质学]
  • 作者机构：[1]复旦大学材料科学系,上海200433
  • 相关基金：国家自然科学基金（批准号：10621063,50571027,50701010）、国家科技基础条件平台建设项目（批准号：2005DKA10400-Z13）和上海市重点学科项目（批准号：B113）资助的课题.衷心感谢复旦大学国家微分析中心曹永明老师为本研究工作提供了SIMS实验分析
作者： 龚佳[1], 蒋益明[1], 钟澄[1], 邓博[1], 刘平[1], 李劲[1]
关键词： 同位素示踪, H218O, 替位扩散, 硅, isotopic labeling, H2^18 O, substitutional mechanism, silicon
中文摘要：

采用同位素H216O/H218O接续氧化同位素示踪方法,研究了单晶硅在1100℃水汽中氧化的微观传质机制.在H216O,H218O分别氧化和H216O/H218O接续氧化处理后,研究氧化产物形态和结构.并用二次离子质谱仪（SIMS）研究了同位素16O和18O在氧化膜中浓度分布.结果表明H2O蒸汽中氧化产物为非晶态SiO2.H216O/H218O接续氧化后,16O与18O在氧化膜中呈渐次梯度分布,表明Si在水汽中的氧化传质机制为替位扩散机制.

英文摘要：

A new method was proposed to investigate the transport mechanism of silicon oxidation at 1100 ℃ using H2^ 16 O/H2^ 18 O isotopic labeling. The formation and structure of silicon oxide film was analysed. The distribution of ^ 16 O and ^ 18 O in the oxide film was analysed by means of secondary ion mass spectroscopy （SIMS）. The results demonstrate that the oxide film is non-crystalline during the oxidation of silicon in the water vapor and the transport mechanism is substitutional diffusion mechanism.

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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编：100190
  • 邮箱：apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649026
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3290
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:49876