位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Effects of bottom electrode on resistive switching characteristics of ZnO films
  • ISSN号：1000-3290
  • 期刊名称：ACTA PHYSICA SINICA
  • 时间：2013
  • 页码：077202-077206
  • 相关项目：金属氧化物ReRAM的稳定性和可靠性研究
作者： Li Hong-Xia|Chen Xue-Ping|Chen Qi|Mao Qi-Nan|Xi Jun-Hua|Ji Zhen-Guo|
同期刊论文项目
金属氧化物ReRAM的稳定性和可靠性研究
期刊论文 21 会议论文 7 专利 9 著作 1
同项目期刊论文
Improvement of structural and mechanical properties of alumina coatings by incorporation of TiO2 and
Preparation and Thermal Insulating Properties of Antimony Doped Nano-SnO2/Waterborne Polyurethane Co
EFFECTS OF alpha-Al2O3 NANOADDITIVE ON THE PROPERTIES OF CERAMIC COATINGS PREPARED IN BORATE ELECTRO
Preparation and Optimization of Long Persistent Luminescent Sr4Al14O25:(Eu,Dy) Phosphor Materials
下电极对ZnO薄膜电阻开关特性的影响
Enhanced long lasting persistent luminescent SrAl2O4:Eu,Dy ceramics prepared by electron beam bombar
N-doped rutile TiO2 nano-rods show tunable photocatalytic selectivity
Depth profiling of Al diffusion in silicon wafers by laser-induced breakdown spectroscopy
Effects of Film Thickness on Resistive Switching Characteristics of ZnO Based ReRAM
Resistive switching characteristics of ZnO based ReRAMs with different annealing temperatures
Mo plus N Codoped TiO2 sheets with dominant {001} facets for enhancing visible-light photocatalytic
Transparent conductive p-type lithium-doped nickel oxide thin films deposited by pulsed plasma depos
Deposition of Bi2O3 Thin Films and Their Resistive Switching Characteristics
{001} Facets of anatase TiO2 show high photocatalytic selectivity
薄膜厚度对Au/ZnO/n~+-Si薄膜压敏电阻器阈值电压的影响
电阻开关式非挥发性随机存储器的机理及其材料
Effects of oxygen partial pressure on resistive switching characteristics of ZnO thin films by DC re
Realization of forming-free ZnO-based resistive switching memory by controlling film thickness
Effects of Annealing Temperatures on Resistive Switching Characteristics of TiO2 Based ReRAM
Accurate quantitative analysis of metal oxides by laser-induced breakdown spectroscopy with a fixed
期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编：100190
  • 邮箱：apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649026
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3290
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:49876