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GaN和AlxGa1-xN/CaN异质结的高温性质
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O472+.4[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871 北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871 北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871 北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871 北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871 北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871 北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871 北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871
  • 相关基金：国家自然科学基金(批准号:60325413),国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604908),教育部科技创新工程重大项目培育基金(批准号:705002)和北京市自然科学基金(批准号;4062017)资助项目
作者： 王茂俊[1], 沈波[1], 王彦[1], 黄森[1], 许福军[1], 许谏[1], 杨志坚[1], 张国义[1]
关键词： GAN, AlxGa1-xN/GaN异质结, 位错, Hall, 高温
中文摘要：

通过高温Hall测量研究了GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结从室温到500℃高温下的输运性质.实验发现GaN背景载流子浓度随着温度的升高而升高,载流子浓度变化的幅度和GaN的位错密度存在正比关系,持续光电导的跃迁幅度和GaN的位错密度也存在正比关系,说明位错相关的深施主或者陷阱对GaN在高温下的背景浓度有很大影响.实验发现AlxGa1-xN/GaN异质结中二维电子气的浓度在室温到250℃的范围内随着温度的升高而下降,然后随着温度的升高开始增加.前者主要是由于随着温度的升高,AlxGa1-xN/GaN异质结的导带不连续减小引起的,后者主要是由GaN层背景载流子浓度增加导致的.通过求解自洽的薛定谔和泊松方程得到的二维电子气浓度的温度关系和实验结果一致.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754