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5.8GHz CMOS混频器设计
  • 期刊名称:《半导体技术》,Vol.33 No.3-4, 2008. 已录用
  • 时间:0
  • 分类:TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构:[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051, [2]国防科技信息研究中心,北京100028
  • 相关基金:国家自然科学基金重点资助项目(90307016);国家预研项目(E0617010)
  • 相关项目:SOC中信号完整性问题及混合信号与射频模拟电路设计方法
中文摘要:

介绍了CMOS混频器主要技术指标的设计思路和技术。采用0.18μm CMOS工艺,使用Agilent公司的ADS软件设计出一种5.8GHzCMOS混频器电路,结果表明,工作电压1.8V时,RF频率5.8GHz,本振频率5.78GHz,中频频率20MHz下,转换增益7.3dB、输入1dB压缩点-8.3dBm,噪声系数8.7,工作电流小于5mA,该电路已交付流片。

英文摘要:

The design techniques of improved CMOS mixers were illustrated. Based on 0.18 μm CMOS process, a 5.8 GHz CMOS mixer was designed with Agilent ADS. The simulated results show that this mixer achieves a conversion gain of 7.3 dB, input 1 dB gain compress of - 8.3 dBm, and a noise figure of 8.7 dB, while consuming less than 5 mA from a single 1.8 V supply, the circuit is in manufacturing.

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