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800MHz CMOS低噪声放大器的设计
  • 期刊名称：《微波学报》，2005年4月，Vol.21，增刊，pp.107-111.
  • 时间：0
  • 分类：TN722.3[电子电信—电路与系统]
  • 作者机构：[1]东南大学无线电工程系毫米波国家重点实验室,南京210096
  • 相关基金：国家自然科学基金重点项目（No.90307016）资助.致谢：作者非常感谢东南大学射频与光电集成电路研究所章丽老师与王欢老师在MPW项目上所提供的帮助,以及南京电子部十四所严伟、姜伟卓、符鹏等工程师在金丝键合方面给予的大力帮助.
  • 相关项目：SOC中信号完整性问题及混合信号与射频模拟电路设计方法
作者： 陈继新、洪伟、严频频、殷晓星、
关键词： 低噪声放大器, CMOS, 噪声系数, 增益, 1dB压缩点, Low noise amplifier, CMOS, Noise figure, Gain, 1dB compressing point
中文摘要：

本文采用0．25μmCMOS工艺，设计和研制了800MHz频段低噪声放大器。放大器采用共源共栅结构，芯片内部埋置了螺旋电感。放大器的增益为16．4dB、噪声系数小于1．3dB、工作电压2．5V时，功耗为35mW。测试结果达到了设计指标，一致性良好。

英文摘要：

An 800MHz low noise amplifier has been designed and implemented in 0. 25μm CMOS process. The amplifier employs cascode structure, and spiral inductors on chip. The amplifier provides a forward gain of 16.4dB and a noise figure below 1.3dB, while consuming 35 mW from a 2.5V supply. The test results reach the design specifications and show good consistence.

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