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Analytical Frequency-Dependent Model for Transmission Lines on RF-CMOS Lossy Substrates
  • ISSN号：0372-2112
  • 期刊名称：《电子学报》
  • 时间：0
  • 分类：TN3[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China, [2]Department of Computer Science and Technology, Tsinghua University, Beijing 100084, China
  • 相关基金：Supported by the National Natural Science Foundation of China （No. 90307016） and the Basic Research Foundation of Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology （TNList）
作者： 叶佐昌[1], 喻文健[2], 余志平[1]
关键词： 频率相关, 电容, 金属氧化物, 半导体, transmission lines, frequency dependence, capacitance, radio frequency complementary metaloxide semiconductor （RF-CMOS）, circuit characteristics
中文摘要：

To whom correspondence should be addressed. E-mail： yuzhip@tsinghua.edu.cn

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期刊信息
  • 《电子学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国电子学会
  • 主编：郝跃
  • 地址：北京165信箱
  • 邮编：100036
  • 邮箱：new@ejournal.org.cn
  • 电话：010-68279116 68285082
  • 国际标准刊号：ISSN：0372-2112
  • 国内统一刊号：ISSN：11-2087/TN
  • 邮发代号:2-891
  • 获奖情况:
  • 2000年获国家期刊奖,2000年获国家自然科学基金志项基金支持,中国期刊方阵“双高”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:57611