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应变对PbSe材料晶格振动的影响

期刊名称：半导体学报（Chinese Journal of Semiconductors），28,103（20
时间：0
分类：TN304.2[电子电信—物理电子学]
作者机构：浙江大学物理系,固体电子材料物理与器件实验室,杭州,310027, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 浙江大学物理系,固体电子材料物理与器件实验室,杭州,310027 浙江大学物理系,固体电子材料物理与器件实验室,杭州,310027 浙江大学物理系,固体电子材料物理与器件实验室,杭州,310027 上海交通大学物理系,上海,200030 上海交通大学物理系,上海,200030
相关基金：国家自然科学基金资助项目(批准号;10434090)
相关项目：IV-VI族半导体低维结构的光、电、磁学特性及其中红外激光器研究

中文摘要：

在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的喇曼光谱测量到:位于136～143cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83～88cm-1之间的纵光学声子与横光学声子的耦合模(LO-TO)振动,以及位于268～280cm-1之间的2LO声子振动.而且PbSe薄膜的LO声子频率随薄膜厚度的不同明显移动,随着薄膜的厚度减小声子频率线性增大,这是由外延膜与衬底之间的失配应力不同引起的.为了理解PbSe声子振动模喇曼活性的物理原因,还比较分析了PbSe体单晶的喇曼光谱,同样,PbSe体单晶样品也呈现出喇曼活性的散射峰.

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