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PbSe缓冲层表面微结构的演化及PbTe量子点的制备

期刊名称：半导体学报，Vol.27，122－126（2006）
时间：0
分类：TN304.2[电子电信—物理电子学]
作者机构：[1]浙江大学物理系,杭州,310027 浙江大学物理系,杭州,310027 浙江大学物理系,杭州,310027 浙江大学物理系,杭州,310027 浙江大学物理系,杭州,310027 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083
相关基金：国家自然科学基金资助项目(批准号:10434090)
相关项目：IV-VI族半导体低维结构的光、电、磁学特性及其中红外激光器研究

中文摘要：

用分子束外延技术在BaF2衬底(111)晶面上生长了PbSe单晶薄膜,研究了不同Se/PbSe束流比(Rf)对薄膜表面形貌的影响.在无Se束流(Rf=0)下制备的PbSe薄膜表面呈现三维岛状结构.当Rf较小(例如0.2)时,样品表面呈现三角形孔状结构特征,孔的尺寸随Rf的增大而减小.当Rf较大(0.6)时,样品表面的三角形孔消失,出现单原子层厚度的螺旋结构.螺旋由台阶环构成,平面尺寸为1～3μm,表面台阶平均宽度为150nm,台阶间高度差为一个单原子层(1ML=0.354nm).PbSe薄膜表面微结构的演化是由于Se束流改变了薄膜中的应变弛豫方式,从而改变了薄膜的生长模式引起的.最后,我们在以螺旋结构为特征的PbSe缓冲层表面自组织生长了PbTe量子点,观察到两种高度分布的量子点.

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