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0.115BiGaO3-(0.885-x)BiScO3-xPbTiO3高温压电陶瓷的制备及电学性能研究
  • ISSN号:1681-5289
  • 期刊名称:《中国集成电路》
  • 时间:0
  • 分类:TQ174.756[化学工程—陶瓷工业;化学工程—硅酸盐工业] TM282[电气工程—电工理论与新技术;一般工业技术—材料科学与工程]
  • 作者机构:[1]四川大学材料科学与工程学院,成都610064
  • 相关基金:国家自然科学基金(60471044)和国家重点项目(6200514)
中文摘要:

利用氧化物合成法制备了0.115BiGaO3-(0.885-x)BiScO3-xPbTiO3(BGSPTx)(x=0.56-0.62)铁电陶瓷.X射线衍射分析(XRD)表明,当PbTiO3含量(x)大于60%时,BGSPTx具有纯的钙钛矿结构。当x〈60%时,体系存在微量杂相。随着PbTiO3含量的增加,BGSPTx由三方相演变到四方相,三方-四方准同型相界位于x=0.58附近。在准同型相界附近,BGSPTx陶瓷的压电常数d33、机电耦合系数、剩余极化Pr都达到最大值,分别为272pC/N,42%,24μC/cm^2。介电常数-温度特性曲线测试表明,BGSPTx陶瓷在MPB附近(x=0.58)居里温度TC高达482℃。实验结果表明,BGSPTx陶瓷是一种优良的高温压电换能器和传感器材料。

英文摘要:

0.115BiGaO3- ( 0.885-x )BiSeO3-xPbTiO3 ( BGSPTx, x=0.56-0.62 ) ceramics were conventional mixed oxide processing. X-ray diffraction shows that pure perovskite structure could x〉60%, whereas the formation of secondary phase occurred for x〈60%. A rhombohedral to tetragonal fabricated using be obtained for phase transition was determined in the vicinity of x=0.58. For composition near x=0.58, BGSPTx ceramics show enhanced piezoelectric coefficient d33, planar coupling coefficient kp, and remnant polarization Pr of 272 pC/N, 42%, and 24 μC/cm^2, respectively. The temperature dependence of dielectric constant of BGSPTx ceramics were performed in the temperature range of 25-550 ℃, and BGSPTx ceramics show a high Tc up to 482℃ for x=0.58. The high Tc of BGSPTx ceramics with the high piezoelectric properties suggested those future high-temperature applications.

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期刊信息
  • 《中国集成电路》
  • 主管单位:中华人民共和国工业和信息化部
  • 主办单位:中国半导体行业协会
  • 主编:王正华 魏少军
  • 地址:北京市顺义区仁和镇顺和花园一区15号楼二单元501室
  • 邮编:101300
  • 邮箱:Wangzh@cidc.com.cn
  • 电话:010-64372248
  • 国际标准刊号:ISSN:1681-5289
  • 国内统一刊号:ISSN:11-5209/TN
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